P-tipi yarı iletkenler, saf yarı iletken malzemelere (genellikle silisyum veya germanyum) üç değerlikli atomların (örneğin, bor, galyum veya indiyum) kontrollü bir şekilde eklenmesiyle oluşturulur. Bu işleme katkılama (İngilizce: doping) denir.
Üç değerlikli atomlar, yarı iletken kristal yapısına girdiğinde, dört kovalent bağ oluşturmak için yeterli elektrona sahip değildirler. Bu durum, her bir katkı atomu etrafında bir boşluk (İngilizce: hole) oluşturur. Boşluklar, pozitif bir yük taşıyıcısı gibi davranır ve elektrik alan uygulandığında kristal içinde hareket edebilirler.
P-tipi yarı iletkenlerde, boşluklar başlıca yük taşıyıcılarıdır (çoğunluk taşıyıcılar), elektronlar ise azınlık taşıyıcılardır. Bu nedenle, p-tipi yarı iletkenlerin iletkenliği büyük ölçüde boşlukların konsantrasyonuna bağlıdır.
Özellikleri:
P-tipi yarı iletkenler, diyotlar , transistörler ve güneş%20hücreleri gibi birçok elektronik cihazın temel bileşenidir.
Ne Demek sitesindeki bilgiler kullanıcılar vasıtasıyla veya otomatik oluşturulmuştur. Buradaki bilgilerin doğru olduğu garanti edilmez. Düzeltilmesi gereken bilgi olduğunu düşünüyorsanız bizimle iletişime geçiniz. Her türlü görüş, destek ve önerileriniz için iletisim@nedemek.page